Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi Bilgi Paketi
|
|||||
| Sınıf/Yarıyıl | 1 / Güz | ||||
| Ders Düzeyi | Yükseklisans | ||||
| Ders Türü | Seçmeli | ||||
| Bölümü | FİZİK (YÜKSEK LİSANS) | ||||
| Ön Koşul Dersleri | Yok | ||||
| Öğretim Sistemi | Örgün | ||||
| Ders Süresi | 14 Hafta | ||||
| Öğretim Elemanı | SEZEN AKSÖZ (sezenaksoz@nevsehir.edu.tr) | ||||
| Diğer Öğretim Elemanı/Elemanları |
SEZEN AKSÖZ, | ||||
| Öğretim Dili | Türkçe | ||||
| Sınıf Dışı Uygulama/Staj | Yok | ||||
| Dersin Amacı | |||||
| Yarıiletken maddelerin elektriksel özelliklerini detaylı öğretme | |||||
| Ders Öğrenme Çıktıları (DÖÇ) | PÇ | ODY | |
| Bu dersi başarı ile tamamlayan öğrenciler: | |||
| DÖÇ-1 | Yarıiletken elektirksel karakterizasyonunu kavrayarak yorumlayabilir. |
PÇ-1 Lisansüstü eğitim yeterliklerine dayalı olarak alanındaki güncel ve ileri düzeydeki bilgileri özgün düşünce ve araştırma ile uzmanlık düzeyinde geliştirebilir, derinleştirebilir ve bilime yenilik getirecek özgün tanımlara ulaşabilir. |
Yazılı Sınav Seminer-Sunum-Rapor Dönem Ödevi - Proje |
| DÖÇ-2 | Çoğunluk yük taşıyıcı özelliklerinin incelenmesi yöntemlerini öğrenir. |
PÇ-3 Fizik alanındaki yeni bilimsel bilgilere ulaşabilir ve alanıyla ilgili araştırma yöntemlerinde üst düzeyde beceri sahibi olur. |
Yazılı Sınav Seminer-Sunum-Rapor Dönem Ödevi - Proje |
| DÖÇ-3 | Galvonomanyetik etkileri öğrenerek yorumlayabilir |
PÇ-1 Lisansüstü eğitim yeterliklerine dayalı olarak alanındaki güncel ve ileri düzeydeki bilgileri özgün düşünce ve araştırma ile uzmanlık düzeyinde geliştirebilir, derinleştirebilir ve bilime yenilik getirecek özgün tanımlara ulaşabilir. |
Yazılı Sınav Seminer-Sunum-Rapor Dönem Ödevi - Proje |
| PÇ: Bölüm program çıktıları ÖDY: Ölçme ve değerlendirme yöntemi |
|||
| Dersin İçeriği | ||
| Yarıiletken karakterizasyona giriş, Özdirenç ölçüm yöntemleri, Galvanomanyetik etkiler, Uniform olmayan materyallerde Hall etkisi ve direnç ölçüm yöntemleri, Kapasitans-voltaj ölçüm yöntemleri, Kapasitans-voltaj ölçümlerinin yorumu, Tükenme bölgesindeki derin seviyeler, Çoğunluk yük taşıyıcı tuzaklarının DLTS yöntemi ile incelenmesi, Çoğunluk yük taşıyıcı tuzaklarının incelenmesinde diğer teknikler. | ||
| Haftalık Detaylı Ders İçeriği | ||
| Hafta | Detaylı İçerik | Öğretim Yöntem ve Teknikleri |
| 1 | Yarıiletken karakterizasyona giriş | Anlatım |
| 2 | Özdirenç ölçüm yöntemleri, Omik kontak, Dört nokta probe yöntemi | Anlatım, Soru-Cevap |
| 3 | Kontaksız metotlar, Özdirenç, mobilite ve taşıyıcı yoğunluğu arasındaki bağıntı. | Anlatım, Soru-Cevap |
| 4 | Hall etkisi, Hall saçılma faktörü | Anlatım, Soru-Cevap |
| 5 | Manyetorezistans ve sıcaklığa bağlı Hall ölçümlerinin detaylı analizi | Anlatım, Soru-Cevap |
| 6 | Uniform olmayan materyallerde Hall etkisi ve direnç ölçümü, Tabaka kaldırma, Dört nokta prob yöntemi ile özdirenç ölçümü | Anlatım, Soru-Cevap |
| 7 | Hall etkisi ölçümü | Anlatım, Soru-Cevap |
| 8 | Ara Sınav | |
| 9 | Manyetorezistans mobilite ölçümü, Spreading rezistans ölçümü | Anlatım, Soru-Cevap |
| 10 | Kapasite-gerilim ölçüm yöntemleri | Anlatım, Soru-Cevap |
| 11 | Kapasite-gerilim ölçümünün yorumu | Anlatım, Soru-Cevap |
| 12 | Hall etkisi ve kapasitans-gerilim ölçümleri arasındaki ilişki | Anlatım, Soru-Cevap |
| 13 | Tükenme bölgesindeki derin seviyeler | Anlatım, Soru-Cevap |
| 14 | Çoğunluk taşıyıcı tuzak merkezlerinin DLTS ölçümü | Anlatım, Soru-Cevap |
| 15 | Çoğunluk taşıyıcı tuzaklarının ölçümü için diğer teknikler | Anlatım, Soru-Cevap |
| 16 | Final Sınavı | |
| Ders Kitabı / Yardımcı Kitap | ||
| 1 | E.H. Nicollian, J.R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductors) Physics and Technology, John Wiley and Sons, London, 1982. | |
| 2 | S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, vol. 2, John Wiley andSons, New York, 1981 | |
| 3 | The Electrical Characterization of semiconductors: Majority carriers and Electron States, P. Blood and J. W. Orton, London, 1992. | |
| Ders Araç - Gereç ve Malzemeleri | ||
| E.H. Nicollian, J.R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductors) Physics and Technology, John Wiley and Sons, London, 1982. S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, vol. 2, John Wiley andSons, New York, 1981 The Electrical Characterization of semiconductors: Majority carriers and Electron States, P. Blood and J. W. Orton, London, 1992. | ||
| Ölçme Yöntemi | |||
| Yöntem | Hafta | Süre (Saat) | Katkı(%) |
| Ara Sınav | 8 | 2 | 40 |
| Diğer Ölçme Yöntemleri | |||
| 1.Sözlü Sınav | |||
| 2.Kısa Sınav (Quiz) | |||
| 3.Laboratuvar Sınavı | |||
| 4.Sunum | |||
| 5.Rapor | |||
| 6.Seminer | |||
| 7.Performans Ödevi | |||
| 8.Dönem Ödevi | |||
| 9.Proje | |||
| Final Sınavı | 16 | 2 | 60 |
| Öğrenci İş Yükü | |||
| İşlem Adı | Haftalık Saat | Sayı | İş Yükü |
| Haftalık Ders Saati (Teorik+Uygulama) | 3 | 14 | 42 |
| Sınıf Dışı Çalışma | |||
| a) Okuma | 1 | 14 | 14 |
| b) İnternette/Kütüphanede Tarama | 2 | 14 | 28 |
| c) Performans Ödevi | 0 | ||
| d) Seminer/Sunum/Rapor Hazırlama | 2 | 14 | 28 |
| e) Dönem Ödevi/Proje Hazırlama | 2 | 14 | 28 |
| Sözlü Sınav | 0 | ||
| Kısa Sınav (Quiz) | 0 | ||
| Laboratuvar Sınavı | 0 | ||
| Ara Sınav İçin Hazırlık | 2 | 8 | 16 |
| Ara Sınav | 2 | 1 | 2 |
| Final Sınavı İçin Hazırlık | 2 | 14 | 28 |
| Final Sınavı | 2 | 1 | 2 |
| 0 | |||
| 0 | |||
| Toplam İş Yükü | 188 | ||